教师队伍
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刘 锴
长聘副教授

博士
电话:010-62799182
电子邮箱:liuk@tsinghua.edu.cn
办公地址:AG真人唯一平台逸夫技术科学楼B815房间

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  • 教育背景
  • 工作履历
  • 学术兼职
  • 研究领域
  • 研究概况
  • 奖励与荣誉
  • 学术成果

2003.9-2008.7  AG真人唯一平台物理系,博士

1999.9-2003.7  西安交通大学应用物理系,学士

2015.5至今  ag真人登录,副教授

2011.2-2015.5  美国劳伦斯伯克利国家实验室材料学部,博士后

2008.7-2011.2  AG真人唯一平台化学系,博士后

中国材料研究学会青年工作委员会理事(2017–至今)

SmartMat青年编委(2021–至今)

J. Electron. Sci. Technol.执行编委(2021–至今)

Chin. Phys. Lett.、Chin. Phys. B、物理学报、物理四刊联合青年编委(2020–至今)


一维、二维等低维范德华材料的界面性质、智能器件和高温电子器件。


长期从事一维、二维材料的界面性质、智能器件和高温器件研究。在Science、Nature Electronics等期刊上发表论文130余篇(Researcher ID:A-4754-2012),获授权发明专利50余项。主持国家重点研发计划课题、国家自然科学基金、霍英东教育基金等科研项目。获中国材料研究学会科学技术奖一等奖(2020,第1完成人),国际材料研究学会联盟(IUMRS)前沿材料青年科学家奖(2021-2022),全国百篇优秀博士学位论文(2010)。

担任中国材料研究学会青委会理事,中国稀土学会固体科学与新材料专家委员会委员,《宇航材料工艺》编委,Nano Res.、Rare Metals、SmartMat等期刊青年编委。担任《中国材料科学2035发展战略》无机非金属材料学科论证工作组成员,负责“先进半导体材料与器件”章节的撰写。任IEEE-NANO、全国电子材料与器件大会分会主席,在ChinaNANO、国际前沿材料大会、中国材料大会等会议上做邀请报告40余次。

2021年 国际材料研究学会联盟前沿材料青年科学家奖

2020年 中国材料研究学会科学技术奖一等奖(第1完成人)

2019年 ICMAT Rising Star Speaker Award (First Prize)

2015年 国家级青年人才计划

2010年 全国百篇优秀博士学位论文

2008年 AG真人唯一平台优秀博士毕业生

2008年 AG真人唯一平台“航天海鹰杯”学术新秀

3年代表性学术成果:

1. Peng, Ruixuan; Wu, Yonghuang; Wang, Bolun; Shi, Run; Xu, Longlong; Pan, Ting; Guo, Jing; Zhao, Bochen; Song, Cheng; Fan, Zhiyong; Wang, Chen; Zhou, Peng; Fan, Shoushan; Liu, Kai*. Programmable graded doping for reconfigurable molybdenum ditelluride devices. Nature Electronics, 6, 852 (2023).

2. Wang, Enze; Xiong, Zixin; Chen, Zekun; Xin, Zeqin; Ma, Huachun; Ren, Hongtao; Wang, Bolun; Guo, Jing Guo; Sun, Yufei; Wang, Xuewen; Li, Chenyu; Li, Xiaoyan*; Liu, Kai*. Water nanolayer facilitated solitary-wave-like blisters in MoS2 thin films. Nature Communications, 14, 4324 (2023).

3. Wu, Yonghuang; Xin, Zeqin; Zhang, Zhibin; Wang, Bolun; Peng, Ruixuan; Wang, Enze; Shi, Run; Liu, Yiqun; Guo, Jing; Liu, Kaihui; Liu, Kai*. All‐transfer Electrode Interface Engineering Towards Harsh‐Environment‐Resistant MoS2 Field‐Effect Transistors. Advanced Materials, 35, 210735 (2023).

4. Shi, Run; Wu, Yonghuang; Xin, Zeqin; Guo, Jing; Li, Zonglin; Zhao, Bochen; Peng, Ruixuan; Li, Chenyu; Wang, Enze; Wang, Bolun; Zhang, Xiaolong; Cheng, Chun*; Liu, Kai*. Liquid Precursor-Guided Phase Engineering of Single-Crystal VO2 Beams. Angewandte Chemie International Edition, 62, e202301421 (2023).

5. Sun, Yufei; Wang, Yujia; Wang, Enze; Wang, Bolun; Zhao, Hengyi; Zeng, Yongpan; Zhang, Qinghua; Wu, Yonghuang; Gu, Lin; Li, Xiaoyan*; Liu, Kai*. Determining the interlayer shearing in twisted bilayer MoS2 by nanoindentation. Nature Communications, 13, 3898 (2022).

6. Li, Chenyu; Wang, Zhijie; Liu, Mingda; Wang, Enze; Wang, Bolun; Xu, Longlong; Jiang, Kaili; Fan, Shoushan; Sun, Yinghui*; Li, Jia*; Liu, Kai*. Ultrafast self-heating synthesis of robust heterogeneous nanocarbides for high current density hydrogen evolution reaction. Nature Communications, 13, 3338 (2022).

7. Zhang, Zhibin; Ding, Mingchao; Cheng, Ting; Qiao, Ruixi; Zhao, Mengze; Luo, Mingyan; Wang, Enze; Sun, Yufei; Zhang, Shuai; Li, Xingguang; Zhang, Zhihong; Mao, Hancheng; Liu, Fang; Fu, Ying; Liu, Kehai; Zou, Dingxin ; Liu, Can; Wu, Muhong; Fan, Chuanlin; Zhu, Qingshan; Wang, Xinqiang; Gao, Peng; Li, Qunyang; Liu, Kai; Zhang, Yuanbo; Bai, Xuedong; Yu, Dapeng*; Ding, Feng*; Wang, Enge*; Liu, Kaihui*. Continuous epitaxy of single-crystal graphite films by isothermal carbon diffusion through nickel. Nature Nanotechnology, 17, 1258 (2022).

8. Ma, He; Xiao, Xiao; Wang, Yu; Sun, Yufei; Wang, Bolun; Gao, Xinyu; Wang, Enze; Jiang, Kaili; Liu, Kai*; Zhang, Xinping*. Wafer-scale freestanding vanadium dioxide film. Science Advances, 7, eabk3438 (2021).

9. Wang, Xuewen; Wang, Bolun; Zhang, Qinghua; Sun, Yufei; Wang, Enze; Luo, Hao; Wu, Yonghuang; Gu, Lin; Li, Huanglong; Liu, Kai*. Grain-Boundary Engineering of Monolayer MoS2 for Energy-Efficient Lateral Synaptic Devices. Advanced Materials, 33, 2102435 (2021).

10. Wang, Bolun; Wang, Xuewen; Wang, Enze; Li, Chenyu; Peng, Ruixuan; Wu, Yonghuang; Xin, Zeqin; Sun, Yufei; Guo, Jing; Fan, Shoushan; Wang, Chen; Tang, Jianshi; Liu, Kai*; Monolayer MoS2 Synaptic Transistors for High-Temperature Neuromorphic Applications, Nano Letters, 21, 10400 (2021).





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